MBE分子束外延系统介绍
设备用途：
分子束外延主要研究的是不同结构或不同材料的晶体和超晶格的生长。该法生长温度低，能严格控制外延层的层厚组分和掺杂浓度。
设备组成：
该系统主要由真空获得系统、外延生长系统（外延室）、快速进样系统（进样室）、高能电子衍射系统、电器控制系统、计算机控制系统等组成。
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MBE分子束外延的应用领域
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分子束外延可能的应用领域由：在高温超导薄膜和器件的研究和应用方面将由于L-MBE能够人工控制原子层的有秩序堆积，可以外延生长发挥重要作用，出含有几个原子层组成绝缘层(I)的YBCO/I/YBCO夹心结构，分子束外延生产厂家，具备研制三层夹心型超导隧道结的条件； 外延生长含有低熔点、易挥发的多元化合物半导体薄膜，在准确调整化合物成分比以便调节隙宽度方面具有优势；人工合成具有特殊层状晶体结构的新型材料，探索新型高温超导体或具有特殊性质的新材料；激光分子束外延在研究和发展多元金属间化合物、亚稳态材料方面也可能有应用的前景。
MBE分子束外延系统的特点有哪些？
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利用分子束外延不仅制取了双质结激光器、三维介质集成光波导，还可以用此法使二种光波导重叠地生长在同一基片上，制成了从一个波导移向另一个波导的锥形辋合器，其耦合系数接近于。MBE法与其他液相、气相外延生长法相比较，其特点是：
①分子束外延生长是在超高真空下进行的，残余气体对膜的污染少，可保持极清洁的表面。
②生长温度低，分子束外延报价，如生长GaAs只有500~600℃，Si只有500℃。
③生长速度慢，(1~10μm/h)。可生长超薄(几个μm)而乎整的膜，膜层厚度、组分和杂质浓度均可进行准确地控制。
④可获得大面积的表面和界面有原子级平整度的外延生长膜。
⑤在同一系统中，可原位观察单晶薄膜的生长过程，可以进行生长机制的研究。外延生长的缺点是时间长，大批量生产性差，对真空条件要求高。
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